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廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

結(jié)果: 找到相關(guān)主題 627 個(gè)

  • 同步整流,60v100a,3206場(chǎng)效應(yīng)管,KCY3206B參數(shù)-KIA MOS管

    KCY3206B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流100A,使用先進(jìn)的SGT MOSFET技術(shù),高密度單元設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)?極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 2.4mΩ,低柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,100% UIS測(cè)試通過(guò)、100%▽VDS測(cè)試通過(guò),?高效穩(wěn)定;適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理功能、...

    0 次查看 同步整流

    www.enlve.com/article/detail/5741.html         2025-06-20

  • 二極管特性曲線,伏安特性曲線-KIA MOS管

    當(dāng)正向電壓超過(guò)某一數(shù)值后,二極管才有明顯的正向電流,該電壓值稱為導(dǎo)通電壓。在室溫下,硅管的V th約為0.5V,鍺管的V th約為0.1V。大于導(dǎo)通電壓的區(qū)域稱為導(dǎo)通區(qū)。

    www.enlve.com/article/detail/5740.html         2025-06-20

  • 無(wú)線收發(fā)電路圖,電路原理詳解-KIA MOS管

    晶體管Q1與晶體、電容C1、C2、C3和電感L2一起形成高頻RF振蕩器,其頻率由晶體的第3個(gè)泛音值決定。由于使用了晶體,因此頻率穩(wěn)定無(wú)變化。Q2晶體管與C8、L4也形成振蕩器,但設(shè)計(jì)用作接收器電路。必須精確調(diào)諧C8,L4,以鎖定來(lái)自另一個(gè)收發(fā)器單元的晶體頻率。

    www.enlve.com/article/detail/5739.html         2025-06-20

  • 直流轉(zhuǎn)換器mos管,80v240a,toll封裝,1808場(chǎng)效應(yīng)管-KIA MOS管

    KCT1808A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V,漏極電流3A,使用先進(jìn)的SGT技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 1.25mΩ,優(yōu)秀的柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,高效穩(wěn)定;適用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、電池管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,采用TOLL封裝,體積小、節(jié)省空間;熱阻更小、散熱...

    www.enlve.com/article/detail/5738.html         2025-06-19

  • 無(wú)線快充,手機(jī)無(wú)線充電器電路原理圖-KIA MOS管

    在電路中,使用了調(diào)諧集電極振蕩器(L1使用C1和C2)。調(diào)諧集電極振蕩器使用集電極電路中的并聯(lián)L-C電路作為負(fù)載,該電路決定振蕩的頻率。調(diào)諧電路兩端產(chǎn)生的輸出電壓以感性耦合方式耦合到基極電路。

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    www.enlve.com/article/detail/5737.html         2025-06-19

  • 無(wú)線充電器電路原理圖,工作原理詳解-KIA MOS管

    無(wú)線充電器通過(guò)在發(fā)送端和接收端各安置一個(gè)線圈,發(fā)送端線圈在電力的作用下向外界發(fā)出電磁信號(hào),接收端線圈收到電磁信號(hào)并將其轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏鳎瑥亩_(dá)到無(wú)線充電的目的。

    www.enlve.com/article/detail/5736.html         2025-06-19

  • 變頻器電源mos管,3a1500v mos管,KNF42150A參數(shù)-KIA MOS管

    KNF42150A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V,漏極電流3A,適用于高速轉(zhuǎn)換、高速開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景;低導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5Ω,低柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,提高效率;具有高開關(guān)頻率、低驅(qū)動(dòng)電流,性能穩(wěn)定可靠,在變頻器電源和逆變器、適配器、充電器、SMPS待機(jī)...

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    www.enlve.com/article/detail/5735.html         2025-06-18

  • 直流無(wú)刷電機(jī),三相無(wú)刷直流電機(jī)原理-KIA MOS管

    無(wú)論是交流電源還是直流電源,在輸入到電機(jī)線圈之前必須將直流電壓通過(guò)逆變器轉(zhuǎn)成三相電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī),這就需由控制器來(lái)實(shí)現(xiàn),控制器包括開關(guān)主電路,驅(qū)動(dòng)電路,控制電路三部分組成。

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    www.enlve.com/article/detail/5734.html         2025-06-18

  • 水泵mos管應(yīng)用,無(wú)刷水泵控制器-KIA MOS管

    通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V或者3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來(lái)設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí),通常需要搭配外部的MOSFET驅(qū)動(dòng)器,我們稱之為“預(yù)驅(qū)”。

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    www.enlve.com/article/detail/5733.html         2025-06-18

  • pwm mos管應(yīng)用,3306場(chǎng)效應(yīng)管,KNB3306C參數(shù)-KIA MOS管

    KNB3306C場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓68V,漏極電流80A,極低電阻RDS(ON)為6.5mΩ,最大限度地減少導(dǎo)通損耗,提高效率;低Crss、快速切換特性,實(shí)現(xiàn)快速切換電源,高效低耗;100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力,性能穩(wěn)定可靠;適用于PWM應(yīng)用程序、電源管理、負(fù)載開關(guān)中;封...

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    www.enlve.com/article/detail/5732.html         2025-06-17

  • 應(yīng)急電源電路,led應(yīng)急燈電路原理圖-KIA MOS管

    LED應(yīng)急燈在正常情況下,應(yīng)急燈處于待機(jī)狀態(tài),由電源供電。一旦正常供電中斷,應(yīng)急燈會(huì)自動(dòng)切換到備用電源上工作。備用電源通常為蓄電池或超級(jí)電容器。當(dāng)主電源中斷后,應(yīng)急燈通過(guò)電路檢測(cè)到信號(hào),并將備用電源接通,使燈泡或LED發(fā)光,以提供緊急照明。

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    www.enlve.com/article/detail/5731.html         2025-06-17

  • rc振蕩電路原理,rc正弦波振蕩電路圖-KIA MOS管

    當(dāng)電容器充電或放電時(shí),電容器兩端的電壓會(huì)周期性地變化,這種周期性變化的電壓可以作為電信號(hào)的源泉。通過(guò)調(diào)整電阻和電容的數(shù)值,可以改變振蕩電路的振蕩頻率。

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    www.enlve.com/article/detail/5730.html         2025-06-17

  • 電子負(fù)載mos管,30v90a,3303場(chǎng)效應(yīng)管,KNY3303C-KIA MOS管

    KNY3303C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,采用先進(jìn)的溝槽制造工藝,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.6mΩ,減少導(dǎo)通損耗,高效低耗;低Crss、開關(guān)速度快,性能優(yōu)越;100%經(jīng)雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力,確保穩(wěn)定性和可靠性;適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等...

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    www.enlve.com/article/detail/5729.html         2025-06-16

  • 繼電器驅(qū)動(dòng)電路,繼電器電路圖分享-KIA MOS管

    繼電器串聯(lián)RC電路:這種形式主要應(yīng)用于繼電器的額定工作電壓低于電源電壓的電路中。當(dāng)電路閉合時(shí),繼電器線圈由于自感現(xiàn)象會(huì)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)阻礙線圈中電流的增大,從而延長(zhǎng)了吸合時(shí)間,串聯(lián)上 RC 電路后則可以縮短吸合時(shí)間。

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    www.enlve.com/article/detail/5728.html         2025-06-16

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